Ce module comprend une mémoire à changement de phase (pCM) de 512Mbit et une mémoire dram lpddr2 de 512Mbit.

• mémoire pcm fabriquée en technologie cmos 45nm
• application visée: smartphones
Réf. fab. Rens. modules pCm/fram micron www.micron.com
Ce module comprend une mémoire à changement de phase (pCM) de 512Mbit et une mémoire dram lpddr2 de 512Mbit.

• mémoire pcm fabriquée en technologie cmos 45nm
• application visée: smartphones
Réf. fab. Rens. modules pCm/fram micron www.micron.com
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