Surfant sur la forte demande de composants de puissance, Bourns se lance dans les transistors IGBT. Le Californien vient de commercialiser sa première famille de transistors discrets 600/650V, encapsulés avec une diode à recouvrement rapide. Ces transistors BID sont disponibles en boîtier TO-252, TO-247 et TO-247N. Selon les modèles, ils délivrent 5 à 50A avec une tension V_CE(sat) de 1,5 à 1,7V. Sont visées les alimentations à découpage, l’induction et la correction de facteur de puissance.