En réduisant d’environ 10% la résistance à l’état passant de ses transistors Mosfet, la dernière technologie de conception mise au point par le Sud-Coréen Magnachip Semiconductor a accouché d’une nouvelle famille de Mosfet 600V dits Super Junction et équipés d’une diode de recouvrement. Parmi eux figure le MMQ60R044RFTH, dont la résistance s’établit à seulement 44mΩ et qui convient par exemple aux serveurs de données et aux chargeurs de véhicules électriques. Les autres modèles voient leur résistance grimper jusqu’à 1Ω. « Après ces Mosfet 600V, nous comptons introduire au cours du second semestre des Mosfet 650V et 700V eux aussi dotés d’une diode rapide », annonce YJ Kim, CEO de Magnachip.
Dans la même rubrique
Le 17/05/2024 à 10:39 par Frédéric Rémond
ams Osram investit en Autriche
Le fabricant de circuits intégrés et d'optoélectronique ams Osram va investir d'ici 2030 un total de 588 millions d'euros afin…
Le 17/05/2024 à 9:14 par Frédéric Rémond
Quatre modes de fonctionnement pour un seul capteur de position
Le MLX90427 que vient d'introduire Melexis inaugure une nouvelle génération de capteurs magnétiques de position pour le Belge. Basé sur…
Le 17/05/2024 à 8:58 par Frédéric Rémond
Kyocera AVX renforce ses condensateurs pour le militaire et l’aéronautique
Kyocera AVX a procédé à des tests de qualification supplémentaires (MIL-PRF-390006, FSC 5910) et étendu jusqu'au niveau P le taux…
Le 16/05/2024 à 7:57 par Frédéric Rémond
Les inductances répondent à l’appel de courant des processeurs
Répondre aux appels de courant des circuits numériques (processeurs, FPGA, Asic) de pointe n'est pas chose aisée. Bourns relève le…