Nouveau venu dans le secteur des composants de puissance, Cambridge GaN Devices (CGD) doit faire son trou et, surtout, convaincre les ingénieurs d’essayer ses circuits en nitrure de gallium. Pour ce faire, il a développé une famille de cartes d’interface, équipées d’un de ses circuits ICeGaN et redirigeant chacune de ses broches dans l’empreinte d’un composant Mosfet ou GaN standard. « Ces cartes d’interface d’application ne sont bien sûr conçues que pour être utilisées à des fins de conception et d’évaluation, précise Peter Comiskey, directeur de l’ingénierie d’application chez CGD. Il s’agit d’une première étape rapide pour permettre à l’utilisateur d’intégrer l’un de nos circuits ICeGaN dans une conception existante. Il y a un impact mineur sur les performances thermiques, mais étonnamment peu de différence dans les performances CEM ou électriques. » Pour l’heure, une douzaine de cartes d’interface sont disponibles, qui reprennent l’empreinte de composants d’Infineon Technologies, Innoscience, Navitas Semiconductor et GaN Systems.
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