SK hynix vient de démarrer la production en volume de ses mémoires flash Nand à 238 couches de cellules empilées. Des tests de compatibilité sont en cours avec un grand fabricant mondial de smartphones. D’après le Sud-Coréen, ces mémoires bénéficieraient d’un rendement de fabrication supérieur de 34% à celui des précédents modèles à 176 couches. Elles apportent également un débit de données brut supérieur de 50% à 2,4Gbit/s ce qui se traduit par des vitesses de lecture et d’écriture réhaussées d’environ 20%. Après les smartphones, ces mémoires seront commercialisées en direction des disques durs SSD, y compris ceux disposant d’une interface PCIe 5.0.