Bourns poursuit l’élargissement de sa famille de diodes en carbure de silicium. Le Californien vient en effet de lancer dix nouveaux modèles de diodes Schottky 650V et 1200V en SiC, à l’intention des systèmes de transport, des énergies renouvelables et des équipements industriels. Ces composants délivrent entre 5 et 10A selon les modèles. Ils sont proposés dans de nombreuses options de tension, de courant et de boîtiers.
Bourns multiplie les diodes Schottky en SiC
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