Une nouvelle génération de process dédié aux circuits de puissance en carbure de silicium est désormais disponible chez le fondeur X-FAB. Cette technologie baptisée XSICM03 convient aux transistors Mosfet planaires, et offre un gain de 30% en densité de puces par tranche. Rappelons que X-FAB exploite six usines de production de semi-conducteurs, à commencer par celle de Corbeil-Essonnes dont la capacité mensuelle dépasse l’équivalent de 35000 tranches 200mm. La technologie SiC sur tranches de six pouces concerne, elle, l’usine texane de Lubbock.