Toshiba a entamé la production en volume de ses premiers transistors Mosfet en carbure de silicium 650V de troisième génération. Les TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C et TW123V65C sont encapsulés dans un boîtier DFN de 8x8mm et ciblent les équipements industriels. A titre d’exemple, le TW054V65C réduirait selon le Japonais de 55% les pertes à l’allumage, et de 25% les pertes à l’extinction, en comparaison de ses Mosfet actuels.