Avec son dernier transistor en nitrure de gallium EPC2366, Efficient Power Conversion (EPC) a l’intention de remplacer les transistors Mosfet classiques en silicium dans les montages de conversion DC-DC et de redressement synchrone basse tension. Ce transistor GaN 40V présente une résistance à l’état passant de 0,8mΩ et un facteur de mérite de 10mΩ.nC, à l’état de l’art selon le Californien. Il est encapsulé dans un boîtier PQFN mesurant seulement 3,3×2,6mm. D’autres transistors GaN basse tension suivront à court terme, ciblant des débouchés comme les serveurs de données, le redressement synchrone à haute fréquence ou encore la commande de moteurs alimentés par des batteries 24V.