Hier, le fondeur américain GF a déclaré qu’il allait investir 16Md$ pour « accélérer l’innovation dans les domaines de l’intelligence artificielle, de l’aérospatiale, de l’automobile et des communications à haute performance. »

Ce plan comprend un investissement de plus de 13Md$ visant à agrandir et moderniser les installations du fabricant dans les États de New York et du Vermont. Environ 3Md$ supplémentaires seront versés à des initiatives de R&D axées sur l’innovation en matière de mise en boîtier, de photonique sur silicium et de technologie GaN.

« La révolution de l’IA entraîne une demande forte et durable pour les technologies de GF qui permettent les centres de données de demain – y compris la photonique sur silicium de pointe de GF, ainsi que le GaN pour les applications de puissance, a avancé Tim Breen, CEO de GF. Parallèlement, à la périphérie, la technologie FDX exclusive de GF est idéalement positionnée pour prendre en charge les fonctionnalités de l’IA avec une faible consommation d’énergie. Avec toutes ces technologies et bien d’autres encore fabriquées ici même aux États-Unis, GF est fier de jouer son rôle dans l’accélération du leadership américain en matière de semi-conducteurs. »

Le communiqué ne précise pas s’il s’agissait d’un investissement dans le cadre du Chips Act américain. Pour autant, l’année dernière, GF et l’administration Biden avaient annoncé un investissement de plus de 13Md$ au cours des dix prochaines années sur les deux sites américains de GF. Cet investissement devait comprendre l’attribution de 1,5Md$ au titre du Chips Act.