L’industrie des transistors de puissance est actuellement animée par d’importantes innovations au niveau des boîtiers, dont les performances thermiques sont améliorées de manière significative. Il en va ainsi des derniers Mosfet lancés par Toshiba sous les références TPM1R908QM (80V) et TPM7R10CQ5 (150V). Ces circuits bénéficient d’un boîtier dit SOP Advance(E) qui, par rapport au précédent SOP Advance(N) du Japonais, voit ses résistances ohmique et thermique diminuer respectivement de 65% et 15%. Cela induit une résistance à l’état passant réduite d’environ 21%. Le boîtier SOP Advance(E) mesure 4,9×6,1mm. A noter que ces transistors sont assortis d’un modèle Spice G0 pour une évaluation rapide, et Spice G2 pour une simulation plus précise, notamment en matière de caractéristiques transitoires.