Radars : des transistors GaN 700W pour la bande S

Le 27/08/2025 à 7:35 par Frédéric Rémond

Ampleon enrichit son portefeuille de transistors de puissance RF en technologie GaN sur SiC. Le Néerlandais lance en effet quatre modèles 700W couvrant soit la bande 2,7-3,1GHz, soit 3,1-3,5GHz. Tous sont sertis en boîtier céramique SOT502, avec ou sans ailettes de fixations. Destinés aux radars fonctionnant en bande S, ces circuits fonctionnent typiquement avec des longueurs d’impulsions allant jusqu’à 300ms et des rapports cycliques compris entre 10 et 20%.

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