SK hynix a démarré la production en volume de mémoires Dram pour applications portables bénéficiant d’un tout nouveau matériau de moulage époxy à coefficient k élevé, ce qui améliore notablement la dissipation thermique de ces puces. De quoi, assure le Sud-Coréen, limiter l’échauffement des smartphones haut de gamme, dans lesquels la mémoire Dram est le plus souvent encapsulée par-dessus le processeur principal – une approche qui réduit l’encombrement et accélère les transferts de données, mais nuit à la dissipation de chaleur. SK hynix estime que la résistance thermique verticale est améliorée de 47% grâce à son nouveau matériau.