Des modules SiC 1200V plus robustes chez Vishay

Le 05/12/2025 à 7:20 par Frédéric Rémond

Vishay assure avoir amélioré le rendement et la fiabilité de ses modules de puissance 1200V avec les VS-MPY038P120 et VS-MPX075P120, qui associent les transistors Mosfet en carbure de silicium de l’Américain et un boîtier MAACPAK à faible épaisseur. Ces modules conviennent aux montages de conversion à fréquence moyenne et élevée destinés aux véhicules électriques, à la commande de moteur, aux équipements de soudure, aux alimentations, à la climatisation ou encore au stockage sur batterie.

Le VS-MPY038P120 comprend quatre Mosfet dans une topologie d’inverseur en pont complet, avec une résistance à l’état passant de 38mΩ et un courant de drain continu de 35A à 80°C. Le VS-MPX075P120 embarque, lui, six Mosfet SiC dans un inverseur triphasé caractérisé par une résistance de 75mΩ et un courant de drain de 18A. Tous deux disposent également d’une thermistance NTC.

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