Les panneaux photovoltaïques et les systèmes de stockage d’énergie sont dans le collimateur de la nouvelle génération de transistors IGBT 650V et 1200V que vient de lancer Magnachip Semiconductor. Ces circuits supportent un courant supérieur à ceux de la génération précédente – de 40 à 75A pour les modèles 650V et de 40 à 100A pour les versions 1200V. Leur stabilité a également été améliorée, avec une surface de fonctionnement sûr RBSOA étendue de plus de 30%. Ils sont encapsulés en boîtier TO-247 et TO-247 Plus, en attendant des modèles TO-247-4 dotés d’une broche Kelvin. Le Sud-Coréen prévoit également de lancer des modèles 650V 150A ainsi que des 750V supplémentaires durant le premier semestre 2026.