Mouser Electronics a publié son dernier livre électronique conçu avec Renesas Electronics. Il explore comment les centres de données évoluent pour répondre aux besoins énergétiques de l’intelligence artificielle (IA) .
Le distributeur rappelle que les exigences de l’intelligence artificielle générative (GenAI) font exploser la consommation énergétique des centres de données. Le coût d’exploitation d’un centre de données est déjà fortement influencé par sa facture d’électricité. Le corollaire est le poids accru de l’efficacité énergétique dans la gestion de l’alimentation des centres de données. Dans Powering AI : High-Density Power Distribution in Modern Data Centers, des experts du secteur de l’IA abordent des sujets tels que le passage à une alimentation haute tension et la manière dont les technologies d’alimentation numérique améliorent l’efficacité énergétique. Des vidéos montrent comment le refroidissement liquide permet une plus grande densité de serveurs et comment l’utilisation de transistors Mosfet et nitrure de gallium (GaN) plus efficaces dans les circuits d’alimentation facilite la conception de systèmes d’alimentation plus petits et plus légers.
L’ebook intègre aussi une infographie interactive détaillant le flux d’énergie dans un centre de données typique. A ce titre, Mouser met en lumière une partie du catalogue de Renesas, spécialiste de longue date de la gestion de l’énergie. A commencer par les Mosfet de puissance REXFET-1 ultra-compacts et sans broches, qui offrent des performances thermiques, une gestion et une fiabilité accrues. Renesas revendique, grâce à son procédé de fabrication, une réduction de la résistance à l’état passant jusqu’à 30% et des caractéristiques Qg jusqu’à 10%, ce qui améliore le rendement. Le module d’étage de puissance intelligent (SPS) ISL99390FRZ, quant à lui, est censé offrir une précision de mesure du courant « optimale, quelles que soient les variations de tension d’alimentation, de charge et de température ». Associé à un contrôleur PWM numérique Renesas, il autorise une gestion précise de l’alimentation au niveau système et une réponse transitoire « exceptionnelle » pour les régulateurs à ligne de charge. Ce module simplifie la conception en éliminant les résistances de détection et les composants de compensation thermique associés.
Quant au contrôleur PWM 12 phases ISL68239, il utilise la technologie propriétaire de modulation de courant numérique de Renesas. De quoi présenter une combinaison « optimale » de réponse transitoire, de facilité de réglage et de rendement sur toute la plage de charge. Et les développeurs peuvent configurer et surveiller dans de bonnes conditions le dispositif, grâce au logiciel intuitif Renesas PowerNavigator. Enfin, le transistor SuperGaN Fet TP65H015G5WS combine un transistor Hemt GaN haute tension de pointe et un Mosfet silicium basse tension pour offrir une fiabilité et des performances supérieures. Le composant utilise des « technologies d’épitaxie avancées et une conception brevetée pour simplifier la fabrication tout en améliorant l’efficacité par rapport au silicium grâce à une réduction de la charge de grille, de la capacité de sortie, des pertes de courant de croisement et de la charge de récupération inverse ».
