National Semiconductor lance un pilote de grille optimisé pour les Fet en GaN

Le 21/06/2011 à 14:23 par Philippe Dumoulin

Vis-à-vis d’une approche discrète, ce driver 100 V réduit fortement l’encombrement sur la carte de l’étage de commande des transistors de puissance d’un convertisseur haute tension. Avec le LM5113, National Semiconductor introduit un pilote de grille 100 V/5 A en demi-pont, optimisé pour les transistors à effet de champ à enrichissement en nitrure de gallium mis en œuvre dans les convertisseurs haute tension.

Selon la société, vis-à-vis d’une approche discrète, ce circuit permet de réduire le nombre de composants de 75 % et ainsi de réduire jusqu’à 85 % l’encombrement sur la carte de l’étage de commande des transistors de puissance.
Le LM5113 est actuellement échantillonné en boîtier LLP 10 broches, dont les dimensions sont de 4 x 4 mm. Par commande de 1000 pièces, son prix est de 1,65 $ l’unité. La disponibilité en volume sera effective en septembre.

Copy link
Powered by Social Snap