La recherche continue de chercher des substituts convaincants au silicium, à l’instar du molybdénite. Des chercheurs de l’Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne viennent de réaliser une première mondiale, à savoir un circuit intégré fabriqué en molybdénite. «Nous avons créé un premier prototype mettant deux à six transistors en série et démontré que des opérations de logique binaire basiques étaient possibles, ce qui prouve que nous pourrons réaliser des circuits plus importants», explique Andras Kis, responsable du laboratoire LANES au sein de l’EPFL. Le sulfure de molybdène (MoS2) est un minéral que l’on trouve en grande quantité à l’état naturel et dont la structure et les propriétés de semi-conducteur s’avèrent compatibles avec la réalisation de transistors. Théoriquement, il permet d’aller plus loin que le silicum en termes de miniaturisation, consomme moins d’énergie et permet la réalisation de circuits souples.