Intégrant une référence de tension et un amplificateur tampon, le MAX11156 de Maxim permettrait une économie de 70 % sur…
La société introduit un Mosfet à superjonction de 650 V/42 A conditionné dans un boîtier TO247-4 à faible inductance parasite,…
Le dernier transistor de HEMT GaN sur SiC de M/A-COM cible les applications radar en bande L (suite…)
Les TCK101G et TCK102G sont des modèles de 1 A encapsulés dans des boîtiers WCSP de 1,2 x 0,8 x…
Avec la série IX4426/7/8, Ixys lance trois doubles drivers de 1,5 A fonctionnant entre 5,5 V et 35 V. Différentes…
Le transistor en GaN sur diamant de TriQuint Semiconductor annonce la prochaine génération d'amplificateurs RF à très forte densité de…
Œuvre de IDT, l'atténuateur IDTP1953 est programmable sur 6 bits. Compatible au niveau du brochage avec les circuits RF courants,…
La société a dévoilé deux frontaux analogiques, à 12 ou 16 canaux, améliorant la précision de mesure de la tension…
Intégrant un Mosfet de puissance 45 V/800 mOhms, les régulateurs abaisseurs de tension BD9G101G fournissent jusqu'à 500 mA. (suite…)
Le LT6110 fait office de détecteur de courant de précision visant à améliorer la qualité de la régulation de tension…
Ce rachat du numéro deux mondial des onduleurs solaires confirme la tendance actuelle à la consolidation du marché. (suite…)
Hors optoélectronique, le nitrure de gallium est un matériau composé dont l'utilisation est encore essentiellement circonscrite au secteur militaire. Cependant,…
Le nitrure de gallium est un matériau riche de promesses pour la commutation de puissance. Il s'agit là d'une véritable…
