6mΩ pour un transistor Fet SiC 750V !

Le 16/09/2021 à 8:52 par Frédéric Rémond

Les derniers transistors Fet 750V en carbure de silicium présentés par UnitedSiC se signalent par une résistance à l’état passant démarrant à seulement 6mΩ – un record dans l’industrie selon l’Américain. « Cette quatrième génération de transistors Fet SiC offre davantage d’options pour tous les besoins en termes de budgets et de performances » estime Chris Dries, président et CEO de UnitedSiC. Ils associent en fait un transistor Jfet SiC et un Mosfet silicium dans un montage en cascode.

Ces transistors 750V sont sertis en boîtier TO-247-4L pour les modèles 6, 9, 11, 23, 33 et 44mΩ, ainsi qu’en boîtier TO-247-3L pour les déclinaisons 18, 23, 33, 44 et 60mΩ. Le fabricant met également en avant une tenue en court-circuit de 5ms. Leur prix s’étage entre 4,15$ et 23,46$ pièce par lots de 1000 selon les modèles.