A mesure que les batteries 800V se répandent dans les véhicules électriques, les composants de puissance supportant de hautes tensions…
Compacter les diodes de suppression de tensions transitoires (TVS), tel était l'objectif de Littelfuse lors du développement des LTKAK2-L. Montables…
Avec une plage de tension de claquage comprise entre 40 et 150V, les dernières familles de transistors Mosfet à canal…
Nouveau venu dans le secteur des composants de puissance, Cambridge GaN Devices (CGD) doit faire son trou et, surtout, convaincre…
Avec leur résistance ohmique qui augmente de manière significative lorsque la température dépasse un certain seuil, les thermistances PTC demeurent…
Le Japonais Torex Semiconductor s'aventure dans de nouveaux territoires avec l'échantillonnage d'une diode Schottky 850V/10A en carbure de silicium (SiC)…
De plus en plus impliqué dans les montages d'électronique de puissance, le Californien Bourns étoffe sa présence en Irlande, à…
Au salon PCIM qui vient de fermer ses portes à Nuremberg, Toshiba a mis en avant sa nouvelle gamme DCL54xx01…
A l'occasion du salon PCIM, Vishay a exposé les améliorations apportées à sa troisième génération de diodes Schottky en carbure…
Le Japonais Ablic, ex-Seiko Instruments Semiconductor et filiale de Minebea Mitsumi principalement dédiée aux circuits analogiques et mixtes à faible…
Certains montages, par exemple pour isoler des pilotes de transistors de puissance IGBT, SiC ou GaN, nécessitent à la fois…
En réduisant d'environ 10% la résistance à l'état passant de ses transistors Mosfet, la dernière technologie de conception mise au…
C'est une diode Schottky en carbure de silicium orientée vers le haut de gamme que Nexperia vient de présenter sous…
