IGBT 650V et diodes Schottky SiC associés dans un boîtier
Infineon combine un transistor IGBT 650V et des diodes Schottky en carbure de silicium dans des composants à rendement élevé…
Infineon combine un transistor IGBT 650V et des diodes Schottky en carbure de silicium dans des composants à rendement élevé…
L'américain présente dix nouvelles diodes Schottky 650V en carbure de silicium pour alimentations à découpage haute fréquence. (suite…)
Les derniers convertisseurs DC-DC 1/8e brique de Flex Power Modules gèrent des puissances allant de 600W à 800W en continu…
Ce circuit de commande 24V à double canal côté bas est doté d'une broche d'activation et d'une couche d'isolation thermique. (suite…)
L'autrichien propose deux familles de convertisseurs abaisseurs DC-DC 5V 1/2W régulés économiques en boîtier SIP8 (21,8x9,2x11,1mm). (suite…)
Convenant aux applications automobiles sous 48V, ces transistors simples ou doubles sont associés à des résistances de polarisation dans des…
Le japonais intègre dans un module 1/16è brique des convertisseurs abaisseurs 500W 33A non isolés à haut rendement. (suite…)
Le nouvel amplificateur GaN 5-6GHz de l'américain fournit jusqu'à 100W dans un boîtier QFN de 7x7mm seulement. (suite…)
Le fabricant franco-italien présente un convertisseur abaisseur DC-DC synchrone 300mA dont la fréquence et le rendement peuvent être optimisés en fonction…
L'allemand présente un pilote de grille triphasé 1200 V doté de multiples protections. (suite…)
Les derniers convertisseurs abaisseurs à Mosfet intégrés de l'américain bénéficient d'émissions électromagnétiques réduites et d'un indicateur d'alimentation correcte. (suite…)
Le fabricant ajoute des options de tension de sortie et de refroidissement à son catalogue d'alimentations industrielles et médicales 400…
Les prochains transistors Fet 600/650 V en nitrure de gallium de Texas Instruments comprennent également la commande de grille, la…