ISSCC 2020 - Les Dram HBM2E se dévoilent
Samsung et SK Hynix ont tous deux présenté des mémoires HBM2E de 16 Go à 640 Go/s de bande passante…
Samsung et SK Hynix ont tous deux présenté des mémoires HBM2E de 16 Go à 640 Go/s de bande passante…
Cette plate-forme portable de nouvelle génération regroupe de nombreuses fonctionnalités de tests et d’automatisation pour le déploiement de la 5G.…
La société introduit de nouveaux Mosfet CoolSiC de 650 V dans des boîtiers TO-247 à 3 ou 4 broches. (suite…)
Le sud-coréen a conçu un module miniature de détection de gaz basé sur des résonnateurs Mems associés à des couches…
Grâce à un étage d'entrée sophistiqué et une correction numérique intensive, l'américain repousse les limites de ses convertisseurs A/N haut…
Le BDQ1300W cible notamment les équipements de télécommunication et d’informatique. Il offre un rendement supérieur à 97%. (suite…)
Les prochains microcontrôleurs Cortex-M33 de l'américain embarquent un frontal RF compatible avec la spécification à faible consommation Zigbee Green Power.…
L'américain fait grimper la définition de ses imageurs Cmos destinés aux smartphones haut de gamme. (suite…)
Visant les systèmes automobiles et les caméras de vidéosurveillance, cet imageur équipés de pixels à double photodiode offre une marge…
Le japonais propose, pour la numérisation des signaux issus de lidars combinant les détections ToF directe et indirecte, un frontal…
L'américain a généreusement augmenté la quantité de mémoire cache Sram et Dram embarquée dans ses processeurs multicoeurs pour centres de…
Les TLP3106A, TLP3107A et TLP3109A affichent respectivement des valeurs maximales de résistance à l’état passant de 30, 40 et 65mΩ.…
Les dernières bobines d'arrêt en mode commun de Murata dédiées aux réseaux Ethernet dans l’automobile peuvent fonctionner de -55°C à…