Macom échantillonne des transistors de puisssance en GaN pour les stations de base
Conçus pour couvrir les bandes cellulaires entre 1,8 et 3,8GHz, ces transistors en GaN de quatrième génération offrent notamment des…
Conçus pour couvrir les bandes cellulaires entre 1,8 et 3,8GHz, ces transistors en GaN de quatrième génération offrent notamment des…
Couvrant la bande 0,7 à 3GHz, les trois commutateurs de l'américain affichent une haute isolation et une faible perte d'insertion.…
Signé STMicroelectronics, le STuW81300 couvre globalement la bande de fréquence allant de 1,925GHz à 16GHz. (suite…)
Notamment destiné aux stations de base cellulaires, l'ADF4355 intègre un oscillateur commandé en tension et des diviseurs de fréquence lui…
Caractérisées jusqu'à 6GHz, les diodes PIN de 45W et 50W de l'américain affichent typiquement une résistance de 0,5Ohm et une…
Proposés dans des boîtiers économiques, les transistors de puissance RF de la série BLP05H6xxxXR couvrent la gamme 35W à 700W.…
Au niveau du brochage, le dernier module Wi-Fi/Bluetooth de la société est compatible avec les modules ZigBee, Thread et Bluetooth…
L'amplificateur à entrée différentielle F1423 permet d'effectuer la liaison entre un CNA et un émetteur RF. (suite…)
Lors des commutations, le F2923 maintient une impédance constante sur tous les ports afin de minimiser les phénomènes transitoires. (suite…)
Au nombre de dix, les transistors de puissance RF de la famille CLF1 couvrent la plage 10W à 200W. (suite…)
C'est ce que promet Toshiba avec son process TaRF8, optimisé pour la réalisation de commutateurs RF. Le premier bénéficiaire en…
Les F2914 et F2915 font appel à une technologie originale permettant de conserver une impédance quasi constante lors d'une commutation…
Couvrant la bande 300 à 960MHz, le MLX73290-M est formé d'un frontal RF doté de deux ports d'émission-réception permettant la…