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Une mémoire à changement de phase de 512 Mbits
Samsung vient d’en lancer la production. (suite…)
Semi-conducteurs
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Samsung vient d’en lancer la production. (suite…)
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La mesure de température s'invite dans les émetteurs-récepteurs 10 Gbit/s
Phyworks intègre un capteur précis à ±3 °C dans un circuit d'émission-réception pour transmission optique. (suite…)
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Les mélangeurs et modulateurs RF à l'heure du LTE
Analog Devices lance des mélangeurs et modulateurs RF pour infrastructures télécoms de dernière génération. (suite…)
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L’électronique plastique prend forme
Des mémoires non-volatiles réinscriptibles en matériaux polymères sont désormais disponibles en production pour les applications grand public. (suite…)
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Des flash NAND en technologie 22 nm dès 2010 ?
Toshiba et SanDisk pourraient en lancer la production dans la deuxième moitié de l’année prochaine. (suite…)
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La plus petite cellule Dram embarquée jamais réalisée
Cette cellule a été fabriquée par IBM en technologie Cmos SOI 32 nm. (suite…)
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Texas Instruments baisse le prix de ses outils de développement pour DSP
L'Américain lance un kit de développement sous forme de clé USB comprenant un émulateur et l'environnement de conception Code Composer…
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Le FPGA le plus complexe de l’industrie ?
Ce FPGA complète vers le haut la famille de FPGA 40 nm Stratix IV d’Altera. (suite…)