Le rendement supérieur des transistors en nitrure de gallium (GaN) en fait de bonnes alternatives aux classiques Mosfet en silicium. Le Californien EPC (Efficient Power Conversion) vient par exemple de lancer deux transistors GaN 80V qui conviennent aux étages de conversion 48V-12V automobiles ainsi qu’aux sous-ensembles d’infodivertissement, d’éclairage ou encore de lidars. L’EPC2204A gère un courant pulsé de 125A avec une résistance à l’état passant de 6mΩ dans un boîtier de 2,5×1,5mm, tandis que l’EPC2218A supporte 231A avec une résistance de 3,2mΩ et un encombrement de 3,5×1,95mm.

Ces transistors peuvent être commutés à plus de 1MHz en raison de leurs faibles charges de grille et pertes de recouvrement inverse. EPC assure que dans l’exemple d’un convertisseur 48V-12V de 2 à 4kW, ils permettent d’atteindre un rendement maximal de 98% (deux points de plus qu’avec des Mosfet) pour un encombrement divisé par deux et un coût total du montage inférieur grâce notamment à la réduction de l’inductance. Les EPC2204A et EPC2218A sont respectivement vendus 1,55$ et 3,01$ pièce par lots de 1000.