Les transistors GaN et SiC font les gros titres en ce qui concerne l’électrification des véhicules, mais les composants de puissance classiques en silicium demeurent largement utilisés dans l’automobile. Infineon Technologies vient par exemple de lancer les IGBT EDT2, des modèles 750V encapsulés en boîtier TO247PLUS et optimisés pour les onduleurs de traction. Conformes AEC-Q101, ces circuits supportent 120 à 200A à 100°C avec des pertes de conduction réduites de 13% par rapport à la précédente génération de l’Allemand. Ce dernier vante également la faible distribution des caractéristiques des EDT2. Ainsi, la tension de saturation collecteur-émetteur varie de moins de 200mV entre ses valeurs typiques et maximales, et la tension de déclenchement de grille, elle, ne varie que de 750mV.