Dans le but d’améliorer le rendement des montages de puissance embarqués dans les satellites, Infineon Technologies vient d’inaugurer une famille de transistors Hemt en nitrure de gallium, avec le premier modèle de l’industrie qui soit à la fois fabriqué en interne et conforme aux spécifications américaines DLA JANS MIL-PRF-19500/794. Ce transistor 100V 52A présente une résistance à l’état passant de 4mΩ et une charge de grille totale de 8,8nC. Il supporte une dose totale d’ionisation TID de 500krad et une immunité aux événements singuliers SEE jusqu’à 70MeV.cm²/mg. Deux autres modèles, non certifiés JANS, ont été testés pour des doses de 100 et 500krad. Tous ces circuits sont sertis dans des boîtiers céramiques hermétiques montables en surface. D’autres versions certifiées JANS seront bientôt lancées, avec des valeurs de tension et de courant différentes.