Les transistors Fet en GaN descendent à 1 mΩ !

Le 08/03/2024 à 18:55 par Frédéric Rémond

C’est à l’occasion du récent salon Apec de Long Beach qu’EPC a dévoilé ce qu’il considère être le premier transistor Fet en nitrure de gallium (GaN) de l’industrie dont la résistance à l’état passant ne dépasse pas 1mΩ. Dénommé EPC2361, ce transistor 100V encapsulé dans un boîtier miniature de 3x5mm se prête au redressement synchrone AC-DC, à la conversion DC-DC ou encore à la commande de moteurs. Vendu 4,6$ pièce par lots de 3000, il est accompagné par une carte d’évaluation en demi-pont, commercialisée elle au prix de 200$.

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