Les travaux avancent bon train concernant les composants indispensables à la future 6G. L'imec vient ainsi de présenter un transistor en nitrure de gallium de type Mos Hemt, qui combine un rendement élevé (66% de PAE à 13GHz sous 5V) et une puissance de 27,8dBm. Qui plus est, ce transistor GaN est réalisé sur un substrat en silicium, et non en carbure de silicium (SiC) qui offre de solides performances RF mais à un coût supérieur et sur des tranches plus petites.