Grâce à un partenariat avec Mitsubishi Electric, Nexperia lance ses premiers transistors Mosfet en carbure de silicium (SiC), deux modèles 1200V en boîtier TO-247 dont la résistance à l’état passant est de 40 et 80mΩ. Les NSF040120L3A0 et NSF080120L3A0 sont les premiers d’une famille qui couvrira différentes valeurs de résistance et dans des boîtiers traversants et montables en surface. Nexperia met en avant la stabilité en température de ces composants, dont la résistance ne varie que de 38% sur l’ensemble de la plage allant de 25 à 175°C. Des modèles conformes aux normes automobiles sont également prévus.