A mesure que les batteries 800V se répandent dans les véhicules électriques, les composants de puissance supportant de hautes tensions se font de plus en plus indispensables. Témoins les transistors Mosfet CoolSiC 1200V présentés par Infineon Technologies, des composants qualifiés pour l’automobile et convenant aux conversions DC-DC et aux chargeurs embarqués. Ces circuits en carbure de silicium se distinguent par des pertes en découpage réduites de 25% par rapport à la précédente génération. Ils s’avèrent compatibles avec les commandes unipolaires, grâce à une tension V_GS de 0V annoncée comme « fiable et sans risque de conduction (turn-on) parasite ». Ces transistors sont encapsulés dans un boîtier TO263-7. Ils comprennent un modèle doté d’une résistance à l’état passant de 9mΩ seulement.