Le principal frein à l’adoption massive des transistors de puissance en nitrure de gallium (GaN) demeure la maîtrise de leur commande, différente de celle d’un transistor silicium classique. Plusieurs fabricants y remédient en incluant tout ou partie du pilote de puissance sur la même puce. Rohm étoffe ainsi sa famille EcoGaN en lançant les transistors HEMT 650V BM3G0xxMUV-LB, qui incluent le pilote de grille. Ces circuits conviennent notamment aux alimentations d’appareils grand public et industriels. Rohm assure qu’un tel composant permet de supprimer jusqu’à 55% des pertes et, en éliminant tout dissipateur, de réduire considérablement l’encombrement du montage.

Les BM3G0xxMUV-LB offrent une large plage de tension de commande allant de 2,5 à 30V et un délai de démarrage typique de 15µs seulement. Ils sont déclinés en versions dotées d’une résistance à l’état passant de 70 ou 150mΩ, et encapsulés dans un boîtier VQFN de 8x8x1mm.