Toshiba enrichit son catalogue de transistors Mosfet -60V à canal P, qui sont utilisés notamment dans des applications automobiles comme la commutation de charge, l’entraînement de moteur et les relais à semi-conducteurs. Référencés XPH8R316MC et XPH13016MC, les deux nouveaux modèles sont fabriqués grâce au procédé U-MOS VI du Japonais et sont conformes AEC-Q101. Leur boîtier SOP Advance montable en surface bénéficie à la fois d’une connexion en cuivre qui en améliore le comportement thermique et d’une structure à flancs mouillables facilitant l’inspection optique automatisée.
Côté performances, le XPH8R316MC supporte un courant de drain continu de -90A et présente une résistance à l’état passant de 8,3mΩ ; ces caractéristiques atteignent respectivement -60A et 12,9mΩ pour le XPH13016MC.