Trois transistors Mosfet 650V en carbure de silicium sont venus agrémenter le catalogue de Toshiba à destination des alimentations des serveurs, des systèmes industriels, des bornes de recharge ou encore des panneaux photovoltaïques. Ces puces de troisième génération se distinguent par leur boîtier TOLL monté en surface, sensiblement plus compact que les classiques TO-247 et facilitant l’utilisation d’une connexion Kelvin. Cette dernière permet par exemple de réduire de plus de moitié les pertes lors du passage à l’état passant, par rapport au transistor Toshiba équivalent en boîtier TO-247 sans connexion Kelvin. Référencés TW027U65C, TW048U65C et TW083U65C, ces transistors partagent une plage de tension grille-source allant de -10 à 25V et une tension de seuil de grille comprise entre 3 et 5V.
Un boîtier TOLL pour les transistors Mosfet SiC 650V de Toshiba
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