« Avec les Mosfet CoolSiC de deuxième génération, Infineon élève les performances du carbure de silicium à un niveau inédit », assure Peter Wawer, président de la division Puissance industrielle verte chez le fabricant allemand. Cette nouvelle génération est inaugurée par des transistors Mosfet 650V et 1200V, qui promettent jusqu’à 20% d’amélioration pour certaines caractéristiques et 10% de pertes de puissance en moins au niveau du système complet. Ces transistors viseront autant l’automobile que les panneaux photovoltaïques et le stockage d’énergie en général. Plus de vingt modèles figurent déjà au catalogue d’Infineon, avec à court terme des variantes 400V pour les composants discrets et 3300V pour les modules.