Densité de puissance en hausse pour les Mosfet 40V

Le 01/06/2021 à 7:15  

Nexperia présente des transistors Mosfet 40V combinant une très faible résistance à l'état passant et une densité de puissance accrue grâce à leur boîtier LFPAK88.

Les transistors Mosfet de puissance BUK7S0R5-40H (systèmes automobiles) et PSMNR55-40SSH (applications industrielles) annoncés par Nexperia se distinguent sur deux points. D'une part, ils présentent la plus faible résistance à l'état passant (0,55mOhms) pour des Mosfet 40V dans le catalogue du Néerlandais. D'autre part, avec leur boîtier LFPAK88, ils offrent une densité de puissance cinquante fois supérieure à celle des modèles en boîtier D2PAK. Ces composants bénéficient également de performances améliorées en mode linéaire et avalance, ce qui les rend plus fiables et robustes. 

Mesurant 8x8x1,7mm; ils présentent une zone de fonctionnement sûr (SOA) de 35A à 20VDS sur 1ms et de 17A à 20VDS sur 10ms - 1,5 à 2 fois mieux que la concurrence selon Nexperia. Conforme AEC-Q101, le BUK7S0R5-40H convient au freinage, à la direction, à la protection et gestion de batterie, à la conversion DC-DC et au contrôle moteur. Son pendant industriel trouvera, lui, sa place dans l'isolation de batterie, la commande de moteur, le redressement synchrone et la commutation de charge.