La production en volume de mémoires à large bande passante HBM4 a démarré chez Samsung. Ces modèles sont fabriqués à partir de puces Dram 10nm de sixième génération (1c) et d’une puce logique en 4nm. Ils atteignent un débit de données consistant de 11,7Gbit/s (22% de plus que les HBM3E), avec des pointes à 13Gbit/s.

Les premières HBM4 du Sud-Coréen comportent 12 couches pour une capacité totale de 24 à 36Go, mais il planche déjà sur des versions à 16 couches cumulant 48Go. Présentées à la récente conférence ISSCC de San Francisco, de multiples optimisations de conception (notamment au niveau des liaisons TSV et du réseau de distribution de puissance) compensent le doublement des entrées-sorties de données, qui passent ici à 2048 broches et pourraient poser des problèmes de consommation et de dissipation thermique.

Samsung espère que ses ventes annuelles de mémoires HBM vont plus que tripler en 2026. L’échantillonnage des premières HBM4E est attendu au second semestre, et des versions personnalisées seront livrées l’an prochain.