Jusqu’ici, Micron ne proposait pas à son catalogue de mémoires durcies aux radiations. C’est désormais le cas, avec l’inauguration d’une famille de mémoires Dram et flash Nand et Nor qualifiées pour l’espace. L’objectif est de rendre les équipements spatiaux plus intelligents afin de renforcer leur autonomie et leurs fonctionnalités, et de réduire leur dépendance aux systèmes terrestres ainsi que la bande passante nécessaire à leurs transferts de données.

La première-née de cette nouvelle famille est une mémoire flash Nand SLC de 256Gbits. Micron en a testé les performances en conformité avec les spécifications PEM-INST-001 niveau 2 de la Nasa. La résistance aux radiations répond au standard américain MIL-STD-883 TM1019 condition D pour ce qui est de la dose d’ionisation totale (TID), et ASTM F1192 et JESD57 concernant les effets des événements singuliers SEE. En termes de performances, la mémoire flash Nand affiche une vitesse par page de 35µs en lecture et 350µs en écriture, avec un effacement de bloc en 1,5ms.

Le fabricant va rapidement étendre son offre spatiale à d’autres types de mémoires et à des solutions de stockage complètes. De quoi concurrencer à la fois les intermédiaires qui s’occupaient de « durcir » des mémoires standards au moyen de coûteux boîtiers et de longues phases de test, et les fournisseurs de mémoires durcies comme Microchip, Infineon ou Teledyne e2v Semiconductors, lesquels n’ont souvent accès qu’à des densités réduites et ne couvrent pas tous les types de mémoires.