Micron Technology vient d’entamer la livraison des premiers échantillons de sa mémoire haut débit HBM4 d’une capacité de 36Go. Cette mémoire comprend douze étages de puces Dram fabriquées en process 1β. Elle dispose en outre d’une fonction d’autotest MBIST (memory built-in self-test).

La HBM4 bénéficie d’une interface large de 2048 bits et peut véhiculer 2To/s, 60% de plus que la génération précédente d’après l’Américain. Elle cible tout particulièrement les serveurs d’intelligence artificielle. Par rapport à la précédente HBM3E, Micron annonce également un gain de plus de 20% en rendement énergétique. La production en volume de la HBM4 est prévue pour l’an prochain.