Samsung vient d’entamer la production en volume de ses mémoires Dram DDR5 de 16Gbits en géométrie 12nm. Par rapport à la précédente génération, ces mémoires bénéficient d’une consommation inférieure de 23% tout en augmentant le rendement des tranches de silicium de 20%. L’usage d’un nouveau matériau à constante diélectrique k élevée a permis d’augmenter la capacitance des cellules de mémoire. La vitesse de transfert atteint ici 7,2Gbit/s.