Les mémoires à haute bande passante HBM4 de SK hynix sont désormais disponibles en volume – avant celles de ses concurrents d’après le Sud-Coréen. Elles apportent deux fois plus de bande passante et un rendement énergétique amélioré de 40% par rapport à la génération précédente. Les puces Dram individuelles sont fabriquées en process 1bnm (soit la cinquième génération de classe 10nm, une génération éprouvée qui assure un bon rendement en production) et empilées par MR-MUF (mass reflow molded underfill). Ces HBM4 sont équipées d’entrées-sorties à 2048 broches et véhiculent jusqu’à 10Gbit/s.