Double Mosfet SiC

Le 18/04/2021 à 10:42 par Frédéric Rémond

Ce double Mosfet 3300V en carbure de silicium supporte des courants de 800A.

• Température maximale : 175°C

• Boîtier à liaisons en argent fritté

• Isolation jusqu’à 6000VRMS

• Pertes en commutation : 240 à 250nJ

 

Réf. MG800FXF2YMS3

Fab. Toshiba Electronics

Rens. http://www.toshiba.semicon-storage.com

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