Séries SiR870DP, sI4190DY de Vishay Intertechnology Bénéficiant de la technologie ThunderFET de la société, ces transistors affichent de faibles résistances à l’état passant.

• Tension grille-source : ± 20 V
• RDS(on) : 6 ou 8,8 mW à 10 V
• Facteur de mérite : 334 ou 340 mOhm.nC à 10 V
• Boîtiers : SO-8 et PowerPAK SO-8

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