Séries DS100BR410, DS100BR210 et DS100BR111 de National Semiconductor Réalisés en technologie SiGe BiCmos, ces circuits étendent la portée des transmissions sur câbles et réduisent les coûts d’interconnexion dans les centres de données.

• Gain d’égalisation : 36 dB
• Consommation : 55 mW par canal
• Débit supporté : 10,3125 Gbit/s
• 2-4 canaux monodirectionnels ou 1 voie bidirectionnelle
• Boîtiers LLP à 24 ou 48 broches

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