Avec sa nouvelle plateforme de test MTe dédiée aux semi-conducteurs de puissance, Advantest entend accompagner les ingénieurs depuis la R&D jusqu’à la production en volume. Cette plateforme unifiée convient tant aux composants en nitrure de gallium (GaN) et carbure de silicium (SiC) qu’aux composants de puissance intégrant des blocs numériques. Elle comprend une capture des données à très haut débit, un contrôle de grille perfectionné, des tests dynamiques y compris en cas de court-circuit jusqu’à 10kA, et des fonctions numériques haute tension.