Bruit EMI en baisse pour les transistors Mosfet de Toshiba

Le 17/08/2021 à 8:55 par Frédéric Rémond

Le Japonais inaugure une nouvelle structure amortissant les tensions parasites au sein d’un transistor Mosfet 40V présentant de faibles émissions électromagnétiques.

Des émissions électromagnétiques réduites, c’est la promesse de Toshiba avec le TPHR7404PU, un transistor Mosfet canal N 40V exploitant la dernière génération de process U-MOSIX-H du Japonais. Ce transistor utilise une nouvelle structure incluant un amortisseur de parasites, limitant le bruit en commutation et la tension crête. Il convient particulièrement au redressement synchrone secondaire.

Le TPHR7404PU présente une résistance à l’état passant de 0,74mOhms à 10V. Il est serti dans un boîtier SOP de 5,6mm qui se distingue par une résistance thermique de 0,71°C/W seulement.