Le centre de R&D belge remplace le silicium de la structure micro-usinée par du silicium-germanium, plus propice à la fabrication sous une température moins élevée. L’Imec vient de présenter un capteur de pression piézo réalisé en silicium-germanium polycristallin au-dessus d’un circuit Cmos 0,13 µm classique à métallisation en cuivre, une première selon le centre de R&D belge.

Les structures micro-usinées en SiGe présentent les mêmes caractéristiques que celles fabriquées en silicium à température plus faible, et peuvent donc plus facilement être construites au-dessus du Cmos, selon l’Imec.

Ici, l’ensemble du capteur est fabriqué avec une température n’excédant pas 455 °C.