Des Mosfet 80/100V de Nexperia combinent stabilité thermique et compacité

Le 19/08/2021 à 7:19 par Frédéric Rémond

Ces transistors Mosfet spécifiques disposent d’une zone de fonctionnement sûre (SOA) étendue et d’un boîtier LFPAK56E plus petit que les habituels D2PAK.

Nexperia a récemment développé une gamme de transistors Mosfet à application spécifique, dits Asfet, dont certains caractéristiques sont optimisées pour une utilisation précise, parfois au détriment d’autres paramètres. Le Néérlandais ajoute aujourd’hui à cette famille deux modèles 80V et 100V affichant une zone de fonctionnement sûre ( safe operating area   ou SOA) étendue selon lui de 166% à 50V en réduisant l’effet Spirito lié à l’instabilité thermique sous haute tension. En outre, la datasheet de ces transistors explicite cette SOA à 125°C, et pas seulement à 25°C comme c’est souvent le cas.

Le PSMN4R2-80YSE (80V, 4,2 mOhms) et le PSMN4R8-100YSE (100V, 4,8 mOhms) sont tous deux encapsulés en boîtier LFPAK56E compatible Power-SO8 de 6x5x1,1mm, bien plus compact que les boîtiers D2PAK antérieurs. Compatibles avec l’insertion à chaud, ces transistors fabriqués dans l’usine Nexperia de Manchester pourront être utilisés dans des équipements 5G, des serveurs 48V ou encore des systèmes industriels.