Une carte de développement pour évaluer les performances des transistors de puissance en GaN

Le 12/02/2013 à 17:23 par Philippe Dumoulin

Proposée par EPC, cette carte exploite les transistors eGaN de la société et un pilote de grille optimisé pour ce type de Fet. Efficient Power Conversion (EPC) annonce la disponibilité d’une carte de développement exploitant des transistors de puissance en nitrure de gallium (GaN).
En l’occurrence, il est ici question des Fet EPC2012 en structure demi-pont, issus de la famille eGaN de la société.

Ceux-ci sont associés aux pilotes de grille UCC27611 de Texas Instruments, optimisés pour ce type de transistor.
Référencée EPC9004, cette carte de 2″ x 1,5″ fournit une tension de 200 V et un courant d’intensité 2 A. Elle est proposée au prix de 95 $ et est disponible chez Digi-Key.

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